Trong Hội nghị Thượng đỉnh Thị trường bộ nhớ tại Trung Quốc (CFMS) diễn ra vào tháng 3/2023, Samsung cho biết dung lượng của một ổ cứng SSD có thể tăng lên 1 petabyte (tương đương 1.024 terabyte hay 1 triệu gigabyte).

Công nghệ mới cho phép Samsung tạo ra ổ SSD với dung lượng 1 triệu gigabyte trong tương lai không xa. Ảnh: Tweaktown.

Tại thời điểm đó, Samsung cho biết hãng sẽ mất khoảng một thập kỷ nữa để tạo ra ổ SSD có khả năng lưu trữ tới đơn vị petabyte. Tuy nhiên, một nghiên cứu mới xuất hiện có thể làm giảm đáng kể thời gian đó.

Cụ thể, Samsung đang chuẩn bị ra mắt chip nhớ V-NAND thế hệ thứ 9 với khả năng chồng 290 lớp ô nhớ (Memory cell). Hiện tại, đây là công nghệ bộ nhớ tiên tiến nhất thế giới. Ngoài ra, chip nhớ V-NAND thế hệ thứ 10 với 430 lớp ô nhớ cũng đang trong quá trình sản xuất.

V-NAND là công nghệ chồng các lớp ô nhớ trong không gian 3D thay vì chỉ tích hợp trên một mặt phẳng 2D như trước đây. Công nghệ này cho phép một chip nhớ có nhiều ô hơn, đồng nghĩa với dung lượng lưu trữ cao hơn.

Ngoài ra, Giwuk Kim, nghiên cứu sinh tại Khoa Kỹ thuật Điện tại Viện Khoa học và Công nghệ Tiên tiến Hàn Quốc (KAIST) chuẩn bị trình bày một phân tích về công nghệ điện sắt mới, từ đó tạo ra hệ thống lưu trữ hiệu quả hơn cũng như tốn ít diện tích hơn.

Đáng chú ý, nghiên cứu này có đồng tác giả là Samsung Electronics. Tuy nhiên, hiện chưa có thông tin cụ thể về sự tham gia của hãng trong công trình trên.

Samsung hiện là nhà cung cấp ổ SSD dung lượng cao nhất trong ngành. Công ty lần đầu tiên sản xuất hàng loạt ổ cứng 15,36 TB vào năm 2016, sau đó tung ra sản phẩm 30,72 TB vào năm 2017.

Hãng cũng đã cho ra mắt ổ SSD 64 TB vào năm 2019 và nguyên mẫu ổ SSD 128 TB vào năm 2021. Tuy vậy, những thiết bị này vẫn chưa được đưa vào sản xuất hàng loạt.