 |
Trên trang blog Samsung Tomorrow của mình, Samsung vừa thông báo rằng hãng đã phát triển một loại bộ nhớ trong 128 GB siêu nhanh, dựa trên chuẩn Universial Flash Storage (UFS) 2.0 mà theo Samsung là nhanh gấp 2,7 lần so với chuẩn bộ nhớ eMMC 5.0 hiện đang được sử dụng trên tất cả các smartphone cao cấp hiện nay. Nhờ khai thác tính năng công nghệ "Command Queue" của chuẩn UFS, loại bộ nhớ trong trong mới này theo các báo cáo là sẽ có khả năng xử lý đến 19.000 phép tính đầu vào/ra mỗi giây trong chế độ đọc ngẫu nhiên.
Lợi ích mà người dùng có được sẽ là gì? Với bộ nhớ lưu trữ 128 GB trên điện thoại, tốc độ xử lý của máy sẽ không bị chậm lại mỗi khi dung lượng chứa bị đầy, hoặc sau khi cài đặt hoặc gỡ bỏ ứng dụng một cách liên tục! Ngoài ra, Samsung cho biết chuẩn UFS này còn có các phiên bản dung lượng thấp hơn là 32GB và 64GB, vì thế các mẫu máy tầm trung và cấp thấp trong tương lai cũng được tận dụng công nghệ này.
 |
Mặc dù vẫn chưa rõ Galaxy S6 có thực sự được trang bị công nghệ này hay không, nhưng trang blog Samsung Tomorrow đã ghi rằng công nghệ này "hiện đang được sản xuất đại trà", cũng như Samsung thời gian qua liên tục ám chỉ về hiệu năng siêu nhanh của Galaxy S6 qua các đoạn clip quảng cáo. Liệu các mẫu điện thoại đầu bảng mới nhất của Samsung sẽ là những chiếc smartphone đầu tiên sở hữu loại bộ nhớ siêu nhanh này? Câu trả lời sẽ sớm được giải đáp trong vài ngày tới khi Galaxy S6 được giới thiệu MWC 2015 (ngày 01/3).
